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IGBT模塊的選擇方法 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模...發(fā)布時間：2014-03-13 點擊次數(shù)：874 次
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IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管 IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降...發(fā)布時間：2014-03-10 點擊次數(shù)：888 次
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BUSSMANN熔斷器的簡介 BUSSMANN熔斷器作為全球市場上電路保護方案的世界領先者，CooperBussmann公司的電路保護方案廣泛應用於世界各地，並符合UL®、CE、CSA®、IEC、BS、VDE、SEMK...發(fā)布時間：2014-02-14 點擊次數(shù)：851 次
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FERRAZ熔斷器悠久歷史 1891GénéraleElectriquedeNancy誕生在法國摩澤爾省。GénéraleElectriquedeNancy業(yè)務主要生產(chǎn)電動機,發(fā)電機，照明領域。1892LECARBONE公司在巴黎地區(qū)誕生...發(fā)布時間：2014-01-16 點擊次數(shù)：914 次
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BUSSMANN熔斷器悠久歷史 1891GénéraleElectriquedeNancy誕生在法國摩澤爾省。GénéraleElectriquedeNancy業(yè)務主要生產(chǎn)電動機,發(fā)電機，照明領域。1892LECARBONE公司在巴黎地區(qū)誕生...發(fā)布時間：2014-01-14 點擊次數(shù)：956 次
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IGBT模塊的簡介 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFE...發(fā)布時間：2014-01-08 點擊次數(shù)：851 次
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IGBT模塊在攜帶式變頻氣絕緣X射線機中的應用 自從70年代末80#：代初我國開始研制輕便的攜帶式變頻氣絕緣x射線探傷機來替代早期笨重的工頻油絕緣X射線探傷機以來，國內(nèi)外主要生產(chǎn)廠商絕大多數(shù)都是采用傳統(tǒng)的瓊斯逆變電路將經(jīng)過整流、濾波后的直流電壓變換成...發(fā)布時間：2014-01-05 點擊次數(shù)：946 次
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測量可控硅的參數(shù) 可控硅的主要參數(shù)： VG—操控極*大觸發(fā)電壓，指在規(guī)定環(huán)境溫度下，對陽極和陰極間加上給定的正向電壓（一般為6V）,使可控硅由截止轉(zhuǎn)變?yōu)閷〞r所需要的*大觸發(fā)電壓。 VGN—操控極不觸發(fā)電壓，指在額定結(jié)...發(fā)布時間：2014-01-04 點擊次數(shù)：1337 次
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整流二極管概述 整流二極管一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié)，有陽極和陰極兩個端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)...發(fā)布時間：2014-01-02 點擊次數(shù)：949 次
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熔斷器的選用原則 ①熔斷器額定電壓應符合電動機的運行電壓。熔斷器的運作電壓與其熔管長度及絕緣強度有關。不能把熔斷器用在高于其額定電壓的回路中，也不能把大熔片裝N／．b熔斷管中。②熔斷器的額定電流應大于電動機回路長期通過的*大運作...發(fā)布時間：2013-12-29 點擊次數(shù)：932 次
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如何使用可控硅 ？ 在日常的控制應用中我們都通常會遇到需要開關交流電的應用，一般控制交流電的時候，我們會使用很多種方法，如： 1、使用繼電器來控制，如電飯煲，洗衣機的水閥： 2、使用大功率的三極管或IGBT來控制： 3、使用...發(fā)布時間：2013-12-28 點擊次數(shù)：1014 次
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熔斷器特點和分類 1熔斷器的特點 熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇，熔斷器額定電流應大于熔體額定電流，與主電器配合確定。 2熔斷器分類 (1)螺旋式熔斷器RL： 在熔斷管裝有石英砂，熔...發(fā)布時間：2013-12-25 點擊次數(shù)：1419 次
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可控硅交流調(diào)壓器原理 可控硅交流調(diào)壓器：是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎，以智能數(shù)字控制電路為核心的電源功率控制電器，簡稱可控硅調(diào)壓器，又稱可控硅調(diào)功器，可控硅調(diào)整器，晶閘管調(diào)整器，晶閘管調(diào)壓器，電力調(diào)整器，電力調(diào)壓器...發(fā)布時間：2013-12-13 點擊次數(shù)：1017 次
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BUSSMANN熔斷器主要優(yōu)點和特點 熔斷器的主要優(yōu)點和特點 ①選擇性好。上下級熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國標和IEC標準規(guī)定的過電流選擇比為1.6：1的要求，即上級熔斷體額定電流不小于下級的該值的1.6倍，就視為上下級能有選擇性切斷故障電...發(fā)布時間：2013-12-12 點擊次數(shù)：979 次
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可控硅分類 可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引...發(fā)布時間：2013-12-01 點擊次數(shù)：1056 次
